e俄歇效应：原子在入射色X射线光子或电子的作用下失掉一个k层电子变为k激发态，若该过程中所释放出来的能量用来产生二次电离，使另一个核外电子脱离原子变为二次电子的现象。产生的二次电子的能量具有固定值，这种具有特征能量的电子称为俄歇电子。
标识x射线谱：在连续谱的基础上叠加若干条具有一定波长的谱线。
短波限：连续X射线谱的强度是随波长的变化而连续变化的，每条曲线都有一个强度最大值，并在短波长方向上有一个波长极限，称为。
相干散射：物质中的电子在x射线电场的作用下，产生强迫震动，每个受迫振动的电子便成为新的电磁波源向空间各个方向辐射同频率的电磁波，这些新的散射波之间可以发生反射作用，吧这种散射显像称为相干散射。
吸收限：物质对电磁辐射的吸收随辐射波长的减小而减小，当波长的减小至某一限度是质量衰减系数骤然增大，此时你的波长称吸收限。吸收限为x射线性状的特殊标志量，并且与原子能级的精细结构一一对应。
选择反射：x射线投射到原子面上是，只有当λθd三者之间满足布拉格方程是才发生反射x射线的这种反射称为选择反射。
干涉指数：干涉面的面指数称为指数，干涉指数互为质数是，他就代表一族真是的晶面。
原子散射因子：用来表示一个原子散射和一个电子散射之间的对应关系的参量
f=一个原子散射的相干散射波振幅一个电子散射的相干散射波振幅=AaAe
结构因子：用来表征单胞的相干散射与单原子散射的相干散射之间的对应关系的参量：
FHKL=一个单胞内所有原子散射的相干散射振幅一个电子散射的相干散射振幅=AbAe
他是倒空间的衍射强度分布函数。
系统消光：由于结构因子FHKL=0而使衍射线小时的现象称为系统消光。包括点阵消光和结构消光。
晶面指数：空间点阵中无论哪一个方向都可以画出许多互相平行的阵点平面。同一方向上的阵点平面不仅互相平行，而且等距，各平面上的阵点分布情况完全相同。但是，不同方向上的阵点平面却具有不同的特征。阵点平面之间的差别主要取决于他们的取向。在晶体学中阵点平面的空间取向用晶面指数表示。
晶带定律：凡是属于uvw晶带的晶面，他们的晶面指数hkl都必须符合hu+kv+lw=0的条件。
多重性因子：等同晶面族的反射强度都重叠在一个衍射圆环上。吧同族晶面hkl的等同晶面数P称为衍射强度的多重性因子。
布拉格方程：
衍射矢量方程：(s-s0)/l=rxHKL(|rxHKL|=1/dHKL)
倒易矢量的基本性质：1、倒易矢量垂直于正点阵中的HKL晶面2、倒易矢量的长度等于HKL晶面的面间距dHKL的倒数。
光电效应：光子激发原子所发生的激发和辐射过程成为光电效应。被击出的电子称为光电子。
X射线强度：垂直与X射线传播方向的单位面积上在单位时间内所通过的光子数目的能量总和。
非相干散射：X射线光子与束缚力不大的外层电子或者自由电子碰撞，电子获得一部分能量成为反冲电子，光子离开原来的传播方向；碰撞后光子的能量减少，波长增加，这样的散射称为非相干散射。
线（质量）衰减系数：单位体积（重量）物质对X射线强度的衰减程度。
倒易点阵：在晶体点阵的基础上按照一定的对应关系建立起来的几何图形，是晶体整点正点阵的另一种表达方式。许多性质与晶体点阵存在着倒易的关系。
晶体投影：三维晶体结构中的晶向和晶面位置关系和数量关系投影到二维平面上来。
晶带轴定律：凡属于【
u
v
w
】晶带的晶面，它的晶面指数｛
h
k
l
｝必定满足
Hu+Kv+Lw=0的关系式；这个关系式称为晶带轴定律。
X射线定性分析注意事项：1、实验数据存在一定误差。2、晶面间距比相对强度3、低角度线比高角度线重要4、强线比弱线重要5、重视特征线6、弄清式样来源和化学成分。步骤：1、获得衍射花样2、计算晶面间距和相对强度值3、查阅PDF卡片4、检索匹配
X射线定量分析K值法原理与公式推导：
测定j相含量，内标物质s
根据衍射强度公式：
K值测定：制备一个待测相和内标物质重量百分数1：1的复合式样，通过测定强度比的值便可求出K
K值法优点：
l
K的值与待测相和内标物质含量无关，因此可以任意选取内标物质。
l
K值的测定简单，不需要测绘定标曲线。
l
K值具有常数意义。只要待测相，内标物质相同，实验条件一定，都可以使用同一个精确测定的K值。
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